Описание:

ZEISS SIGMA – это линейка электронных микроскопов с автоэмиссионным катодом, которые позволяют получать нанометровое разрешение, а также имеют стабильные значения токов пучка, что важно для длительных экспериментов и исследований.

SIGMA VP позволяет работать в низком вакууме и исследовать образцы при давлении в камере до 133 Па. Используется для работы с грязными, плохо проводящими, газящими и биологическими образцами, а также в статистике отказов деталей и узлов.

Катод	Катод Шотки с термополевой эмиссией
Разрешение	Sigma 300: 1.2 нм/ @ 15кВ; 2.2 нм/ @ 1кВ // Sigma 500 0.8 нм/ @ 15кВ; 1.6 нм/ @ 1кВ
Ускоряющее напряжение	0.2 – 30 кВ
Увеличение	1 000 000 х
Детекторы	In-lens SE-внутрилинзовый детектор вторичных электронов // INLENS-DUO – сдвоенный внутрилинзовый детектор вторичных и обратноотраженных электронов // BSD – детектор обратнорассеяных электронов // ETSE – детектор вторичных электронов Эверхарта-Торнли // VPSE – детектор вторичных электронов для VP режима // CL – катодолюминесцентный детектор // SCD – измеритель тока через образец // STEM – детектор проходящих электронов (просвечивающий режим)
Столик	5-осевой компуцентрический столик
Оси	125 мм х 125 мм х 50 мм (X, Y, Z) // -10 – +90 градусов (ось T, наклон) // 360 градусов без ограничителя (ось R, вращение)
Режим	Режим высокого вакуума, режим переменного давления

 

Микроскопы ZEISS SIGMA оснащены колонной GEMINI с интегрированным в линзу электронным детектором вторичных электронов. Благодаря этому оператор получает непревзойденное разрешение, яркость и контрастность изображения образцов при высоком уровне топографии.

Большой объем памяти в сочетании с высокоскоростным сканированием пучком электронов позволяет осуществлять быстрое получение карты распределения элементов по поверхности с высоким разрешением. Камера для образцов допускает параллельное использование двух детекторов ЭДС, которые монтируются на противоположных друг от друга стенках для достижения максимального пространственного угла. Для чувствительных к пучкам электронов образцов при применении системы из двух ЭДС возможна работа при малых зондовых токах с сохранением высокой скорости счета рентгеновских квантов.

Микроскопы ZEISS SIGMA легко справляются с получением изображений при низких ускоряющих напряжениях, а также при работе с непроводящими образцами без предварительной пробоподготовки. Это особенно важно при работе с крупногабаритными деталями, в полупроводниковой промышленности и для центров коллективного пользования. Для нужд атомной промышленности возможно защищенное исполнение микроскопов, удаленная работа оператора, а также применение специальных боксов для перегрузки образцов.

Области применения:

Аэрокосмическая и автомобильная промышленность

• Рутинный анализ для обеспечения требований качества и долговечности изготовленных компонент
• Изображения и анализ структуры металлов, трещин
• Исследования неметаллических включений в стали, изломов, границ зерен, дислокаций и дефектов упаковки
• Анализ отказов, исследования коррозии металлов
• Идентификация фаз
• Анализ термостойкости и характеристик покрытий и композитных материалов
• Анализ композитных материалов, покрытий и текстиля
• Производственная чистота
• Проверка чистоты производимых компонентов. Автоматический анализ частиц и определение морфологии и химического анализа для соответствия стандарту ISO 16232 Metals & Steels.

Атомная промышленность

• Исследования радиоактивных материалов
• Анализ отказов.

Наука о материалах

• Изображения высокого разрешения и анализ инновационных наноматериалов
• Анализ покрытий и тонких пленок
• Изображения конструкционных наноматериалов
• Анализ наноструктурированных керамик
• Анализ нанопорошков и суспензий
• Анализ кристаллографической огранки зёрен, степени их совершенства
• Наличия фрагментированных кристаллов, разделённых на домены, что является следствием фазовых превращений в кристаллах
• Наличия субмикроскопических двойников и ламелей распада твёрдых растворов
• Исследования наночастиц, нанотрубок, структуры ядра-оболочек
• Исследования гетероструктуры и поверхности тонких пленок
• Цеолиты, каталитические материалы
• Композиты и полимеры

Наука о жизни

• Изображения высокого разрешения и высокопроизводительный анализ биологических образцов с крио-фиксацией
• Получение изображений высокочувствительных к электронному пучку биоорганизмов
• Исследования влажных образцов без артефактов дегидратации, а также процессов увлажнения и переувлажнения
• Получение изображений грибков и бактерий в их естестественном состоянии
• Получение изображений контрастирорванных вирусов и частиц бактериофагов
• Получение 3D изображений больших объемов биоматериалов с помощью последовательного получения ультратонких срезов в камере микроскопа.

Криминалистика

• Сбор и анализ доказательств с мест преступлений, в том числе анализ следов огнестрельных выстрелов (GSR), анализ краски и стекла, банкнот и монет, сравнение волос и волокон
• Судебная токсикология, палинология
• Доказательства сексуального насилия и анализ ДНК.

Исследования сырья

• Быстрый, точный минералогический анализ образцов породы
• Анализ железосодержащих и алюминиевых сплавов, в том числе высококристаллической ферритмартенситной стали, сильнолегированной высокопрочной стали для сварки, литого чугуна в отливке и аустенированных и высокопрочных алюминиевых сплавов
• Качественная диагностика и определение химического состава металлических порошков, сплавов и соединения
• Исследования размеров и формы зёрен, слагающих тонкодисперсные руды и минералы
• Выявления микро-трещин и систем микродислокаций в деформированных породах и минералах
• Обнаружения треков – следов повреждений, образовавшихся в процессе радиоактивного распада при движении заряженных элементарных частиц в минералах (по длине и плотности треков можно оценивать возраст минералов.

Медицина

• Исследования структуры и покрытия стентов и хирургических проволочек
• Полупроводниковая электроника
• Обеспечение и контроль качества полупроводников и электроники с субнанометровым разрешением, в том числе внутренней структуры полевых транзисторов, полученных по технологии 22 нм, транзисторов с баллистическим транспортом, лазеров на основе A3B5, приборов спинтроники, в том числе спинового транзистора и др.
• Исследования кремниевых пластин, шаблонов, в том числе полученных электронной и ионной литографией
• Исследования солнечных элементов
• Исследования элементов питания
• Исследования качества металлизации и гальванопокрытий
• Анализ отказов электронных компонентов
• Исследования механических и электрических свойств электронных компонентов
• Исследования приборов одноэлектроники.

Химия

• Морфологический и композиционный анализ химического сырья и активных ингредиентов во время процессов микронизации и грануляции
• Изучение химических реакций in-situ
• Динамические исследования материалов в естественном состоянии
• Исследования катализаторов, полимеров и композитов, а также новых синтетических материалов
• Исследования процессов гетерогенного кристаллообразования
• Гидратация, химия и минералогия цемента
• Получение распределений элементного состава объемных материалов с латеральным разрешением в несколько мкм.