RJH3047A Транзистор IGBT N-канал 

Корпус TO-3P

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 75

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 330

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5

Время нарастания типовое (tr), nS: 60